Active and preferred
RoHS準拠

FF2MR12W3M1H_B11

Half-bridge 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy Module
データシート

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FF2MR12W3M1H_B11
FF2MR12W3M1H_B11
データシート

Product details

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    1.44 mΩ
  • アプリケーション
    UPS,Solar,Servo drives,Traction,ESS,CAV,FuelCell
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 3B
  • 寸法 (width)
    62 mm
  • 寸法 (length)
    109.85 mm
  • 特長
    PressFIT
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-EASY3B
パッケージ名 N/A
包装サイズ 8
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-EASY3B
パッケージ名 -
包装サイズ 8
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EasyDUAL™ 3B 1200 V / 1.44 mΩ halfbridge module with CoolSiC™ MOSFET with enhanced generation 1, integrated NTC temperature sensor and PressFIT Contact Technology .

機能

  • Best-in-class package: 12 mm height
  • Easy module packages
  • Very low module stray inductance
  • Low and equal gate inductances
  • Symmetrical internal chip layouts
  • Wide RBSOA
  • 1200 V CoolSiC™ MOSFET
  • Gate drive vol.: +15…+18 V & 0…-5 V
  • Max. gate-source v.: +23 V & -10 V
  • Tvjop under overload condi. < 175°C
  • PressFIT pins

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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