FF2MR12W3M1H_B11
Active and preferred
RoHS対応

FF2MR12W3M1H_B11

EasyDUAL™ 3B CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール1200 V
データシート
個.
在庫あり

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FF2MR12W3M1H_B11
FF2MR12W3M1H_B11
個.
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    1.44 mΩ
  • アプリケーション
    Fuel-cell, CAV, ESS, Servo Drives, Solar, UPS
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 3B
  • 寸法 (width)
    62 mm
  • 寸法 (length)
    109.85 mm
  • 特長
    PressFIT
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-EASY3B
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 8
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-EASY3B
パッケージ名 -
梱包サイズ 8
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
EasyDUAL™ 3B 1200 V / 1.44 mΩ ハーフブリッジモジュール: CoolSiC™ MOSFET M1H (強化型第1世代) 、内蔵NTC温度センサー、PressFITコンタクト技術搭載

特長

  • クラス最高のパッケージ: 高さ12 mm
  • 簡単なモジュールパッケージ
  • 非常に低いモジュール浮遊インダクタンス
  • 低く均一なゲートインダクタンス
  • 対称的な内部チップレイアウト
  • 広いRBSOA
  • 1200 V CoolSiC™ MOSFET
  • ゲート駆動電圧: +15～+18 Vおよび0～-5 V
  • 最大ゲート-ソース間電圧: +23 V & -10 V
  • Tvjop過負荷条件下。< 175℃
  • PressFITピン
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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