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CY15B102N-ZS60XA

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CY15B102N-ZS60XA
CY15B102N-ZS60XA
代替品
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製品仕様情報

  • Density
    2048 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 16
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    60 ns
OPN
CY15B102N-ZS60XA
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1350
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1350
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
CY15B102N-ZS60XAは2-Mbit（128K × 16）自動車用F-RAM™メモリで、100兆回の読み書き耐久性と151年のデータ保持を実現します。動作電圧は2.0 V～3.6 V、温度範囲は–40°C～+85°C、アクセス時間は60 ns、ページモードサイクルは30 ns。SRAMのドロップイン交換として設計され、低動作電流。44ピンTSOP-IIパッケージはRoHS準拠で、湿気・衝撃・振動に強く、自動車や産業用途に最適です。

特長

  • 2MビットF-RAM、128K×16構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™書き込み技術
  • ページモード動作、30nsサイクル
  • SRAM互換、128K×16ピン
  • ソフトウェア書き込み保護
  • 動作電流7mA、待機120μA
  • 低電圧動作：VDD=2.0 V～3.6 V
  • スリープモードで低消費電流
  • モノリシック高信頼プロセス
  • SRAMのドロップイン置換

利点

  • 頻繁・高速な不揮発書き込み
  • バッテリSRAM不要で安心
  • 151年データ保持、リフレッシュ不要
  • NoDelay™で遅延を低減
  • ページモードでスループット向上
  • 簡単にSRAM置換、設計変更不要
  • 書き込み保護でデータ損失防止
  • 低消費電力で省エネ
  • 2.0 V～3.6Vで動作
  • スリープで待機時省電力
  • 高信頼性で要求環境に対応
  • モノリシック設計で統合容易

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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