CY14E256LA-SZ25XI

CY14E256LA-SZ25XI

High-Density 256 Kbit Parallel SRAM for Industrial Applications with Wide Operating Range
データシート

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CY14E256LA-SZ25XI
CY14E256LA-SZ25XI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
CY14E256LA-SZ25XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた256Kビット (32K×8) の並列nvSRAMです。4.5 V～5.5 Vの単一電源で動作し、アクセス時間は25 nsです。データは、68 µFのVCAPコンデンサーを使用して電源オフ時に自動的にSTOREされ、電源オン時にRECALLされます。オプションでソフトウェアまたはHSBピンによる制御も可能です。100万回のSTOREサイクルと、-40℃から85℃の温度範囲で20年間のデータ保持をサポートします。

特長

  • 32 K × 8 nvSRAMアレイ
  • QuantumTrap不揮発性セル
  • 電源断時のAutoStore (VCAP)
  • 6リード シーケンスによるソフトウェアSTORE
  • 6リード シーケンスによるソフトウェアRECALL
  • HSBピン: HW STORE要求
  • HSBオープンドレインのビジー インジケーター
  • 単電源: 4.5 V～5.5 V
  • VCAPコンデンサ: 61 μF～180 μF
  • 低電圧では書き込みとSTOREが禁止されます
  • データ保持期間: 20年
  • STOREサイクル耐久性: 100万回

利点

  • 停電時にもデータを保持
  • バッテリーバックアップ付きSRAMを排除
  • AutoStoreはハンズフリーで状態を保存します
  • MCUの簡単な読み取りによるSTORE/RECALL
  • HSBビジーフラグはバスの競合を回避します
  • 一般的な5 V電源で動作します
  • 定義されたVCAP範囲により設計が迅速化
  • 低電圧ロックアウトによりデータ破損を防止
  • 耐久スーツは頻繁にデータログを記録します
  • 長期保存により保守サービスがサポートされます
  • ファームウェアなしの不揮発性バックアップ
  • 電力復旧後のダウンタイムを短縮

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ