CY14E256LA-SZ25XI

High-Density 256 Kbit Parallel SRAM for Industrial Applications with Wide Operating Range
データシート

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CY14E256LA-SZ25XI
CY14E256LA-SZ25XI
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製品仕様情報

  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CY14E256LA-SZ25XIは256 Kbit（32 K × 8）のパラレルnvSRAMで、高速SRAMとQuantumTrap不揮発ストレージを統合。4.5 V～5.5 V単電源でアクセス25 ns。68 µFのVCAPで電源断時に自動STOREし、電源投入時にRECALL。ソフトウェア/HSB制御にも対応。STORE100万回、保持20年、-40～85°C。

特長

  • 32 K×8 nvSRAMアレイ
  • QuantumTrap不揮発セル
  • 電源断で自動STORE(VCAP)
  • 6回ReadでSW STORE開始
  • 6回ReadでSW RECALL開始
  • HSBでHW STORE要求
  • HSBオープンドレインBusy
  • 単一電源4.5 V～5.5 V
  • VCAP容量61 µF～180 µF
  • 低電圧で書込み/STORE禁止
  • データ保持20年
  • STORE耐久1,000 K回

利点

  • 停電でもデータ保持
  • 電池バックアップ不要
  • AutoStoreで自動保存
  • MCUのReadで簡単に制御
  • HSB Busyで競合アクセス回避
  • 一般的な5 V電源で動作
  • VCAP範囲明確で設計容易
  • 低電圧時の破損を防止
  • 頻繁なログ用途に適合
  • 長期保持で保守に有利
  • FWなしでも不揮発バックアップ
  • 復電後の復帰時間を短縮

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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