CY14B256LA-SZ45XI

CY14B256LA-SZ45XI

High-Density 256 kBit Parallel SRAM for Industrial Applications with Wide Temperature Range

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B256LA-SZ45XI
CY14B256LA-SZ45XI


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    256 kBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B256LA-SZ45XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性セルを組み合わせた256Kビット (32K×8) の並列nvSRAMで、瞬時に不揮発性データをバックアップできます。本製品は、-40℃～85℃の温度範囲で2.7 V～3.6 Vの単一電源で動作し、61 µF～180 µFのVCAPコンデンサーを使用したAutoStore機能により、電源オフ時に設定をSTOREし、電源オン時に設定をRECALLます。SZ45XIは、32ピンSOICパッケージで、45 nsの応答速度、20年間のデータ保持期間、100万回のSTOREサイクルを実現しています。

特長

  • 32 K × 8並列SRAMインターフェース
  • セルごとのQuantumTrap不揮発性
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • HSBピン制御によるSTORE
  • 6回読み出しシーケンスによるSTORE/RECALL
  • 全セルの並列STORE/RECALL
  • 2.7 V～3.6 V単電源
  • 不揮発性STOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • SRAMの読み出し/書き込みサイクルは無制限
  • スタンバイ電流: 最大5 mA
  • 入力リーク電流: ±1 μA (非HSB)

利点

  • 電源喪失時のデータ自動保持
  • データバックアップにバッテリー不要
  • SRAMのようなシンプルなパラレルバス
  • 柔軟なSTORE制御オプション
  • ソフトウェアのみによる保存/復元制御
  • 電源復旧後の高速復帰
  • 一般的な3 V電源レールに対応
  • 重要データの長期ログ記録
  • 20年間の設定データ保持
  • 無制限の実行時SRAM更新
  • スタンバイモード時の待機電力削減
  • リーク電流に敏感な設計の課題軽減

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ