CY14B256LA-SZ45XI

High-Density 256 kBit Parallel SRAM for Industrial Applications with Wide Temperature Range
データシート

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CY14B256LA-SZ45XI
CY14B256LA-SZ45XI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CY14B256LA-SZ45XIは256 Kbit（32 K×8）のパラレルnvSRAMで、高速SRAMとQuantumTrap不揮発セルを統合し、電源断で即時にデータをバックアップします。単一2.7 V～3.6 V電源で-40°C～85°C動作し、61 µF～180 µFのVCAPコンデンサを用いたAutoStoreで電源断時にSTORE、起動時にRECALLします。SZ45XIは45 ns、32ピンSOICで、データ保持20年、STORE 100万回に対応します。

特長

  • 32 K×8パラレルSRAM I/F
  • 各セルQuantumTrap不揮発
  • 電源断でAutoStore(VCAP)
  • HSBピンでSTORE制御
  • 6回読出しでS/R開始
  • 全セル並列STORE/RECALL
  • 単電源2.7 V～3.6 V
  • 不揮発STORE回数1000 K
  • データ保持20年
  • SRAM読書込サイクル無制限
  • スタンバイ電流最大5 mA
  • 入力リーク±1 µA(HSB除く)

利点

  • 電源断でも自動でデータ保持
  • バックアップ電池が不要
  • SRAM同等I/Fで置換容易
  • STORE制御手段を選べる
  • ソフトだけで退避/復帰
  • 復電後に素早くデータ復帰
  • 一般的な3 V電源で動作
  • 重要データの長期ログに適合
  • 設定データを20年保持
  • 稼働中SRAMを無制限更新
  • スタンバイ時の消費電力低減
  • リークに厳しい設計に有利

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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