CY14B116K-ZS25XIT

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CY14B116K-ZS25XIT
CY14B116K-ZS25XIT
データシート

製品仕様情報

  • Density
    16384 kBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CY14B116K-ZS25XITはRTC内蔵の16 Mbit（2048 K×8）nvSRAMで、SRAMの速度とQuantumTrap不揮発ストレージを統合。2.7 V～3.6 V、–40°C～+85°Cで動作し、アクセス時間25 ns。19.8～82 µFのVCAPで電源断時にAutoStoreし、電源投入時にRECALLで復元。耐久性はSTORE 1,000,000回、保持20年。

特長

  • 16-Mbit nvSRAM(SRAM+NV)
  • 2048K×8/1024K×16構成
  • 25 ns / 45 nsアクセス
  • 電源断でAutoStore
  • SWまたはHSBでSTORE
  • 電源投入またはSWでRECALL
  • STORE耐久100万回
  • データ保持20年
  • VCC 2.7 V～3.6 V
  • スリープ中もRTC動作
  • スリープ電流最大10 µA
  • RTC:アラーム/WDT/方形波

利点

  • SRAM速度と不揮発保護を両立
  • x8/x16バスへ容易に接続
  • 25/45 nsで待ち時間削減
  • 自動保存でデータ消失防止
  • イベント時に任意STORE可能
  • 電源投入後に迅速リストア
  • 高耐久でログ用途に適合
  • 長期保持で保守工数削減
  • 2.7-3.6 V単一電源で簡素化
  • スリープでシステム消費低減
  • 10 µAで電池寿命を延長
  • RTC機能で外付けIC削減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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