CY14B116K-ZS25XIT

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CY14B116K-ZS25XIT
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製品仕様情報

  • Density
    16384 kBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
CY14B116K-ZS25XITは、リアルタイムクロックを内蔵した16Mビット (2048K×8) のnvSRAMで、SRAMの速度と不揮発性QuantumTrapストレージを組み合わせたものです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+85℃で、アクセス時間は25 nsです。AutoStoreは、19.8～82 µFのVCAPコンデンサーを使用して電源オフ時にデータを保存します。RECALLは、電源オン時にデータを復元します。耐久性は100万回のSTOREサイクルで、20年間のデータ保持が可能です。

特長

  • 16 MビットnvSRAM (SRAM + NV)
  • 2048K×8または1024K×16アレイ
  • 25 ns / 45 nsアクセス オプション
  • 電源断時のAutoStore
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • 電源投入時またはソフトウェアによるRECALL
  • STOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • VCC電源: 2.7 V～3.6 V
  • RTC動作中のスリープ モード
  • スリープモード電流: 最大10 μA
  • RTCアラーム、WDT、方形波出力

利点

  • NVデータ安全性を備えたSRAMの高速性
  • x8またはx16のレガシーバスに対応
  • 25 ns/45 nsで待機状態を削減
  • 自動保存によりデータ損失を防ぎます
  • イベント用のオンデマンドSTORE
  • 電源投入後の高速復元
  • Enduranceはデータロギングをサポートしています
  • 長期保持によりメンテナンスコストを削減
  • 2.7～3.6 V単一電源による設計容易化
  • スリープモードはシステム電力を削減します
  • 10 µAのスリープモードはバッテリー寿命を延ばします
  • RTCブロックは外部ICを削減します

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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