CY14B108N-ZSP45XI
Active and preferred
RoHS対応

CY14B108N-ZSP45XI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY14B108N-ZSP45XI
CY14B108N-ZSP45XI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY14B108N-ZSP45XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 540
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 540
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY14B108N-ZSP45XIは、高速なSRAMライクな読み書きを実現するQuantumTrap不揮発性ストレージを内蔵した8MビットnvSRAM (512K×16) です。45 nsのアクセス速度、2.7 V～3.6 Vの電源電圧、および-40℃～+85℃の産業用動作温度範囲に対応しています。データは、150 µFのVCAPコンデンサーを使用して電源オフ時に自動的にSTOREされ、電源オン時にRECALLされます。STOREサイクルは100万回で、構成データの保持期間は20年間です。

特長

  • SRAMインターフェース搭載8 MビットnvSRAM
  • 最短20 nsの高速アクセス時間
  • 電源断時のAutoStore
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
  • QuantumTrap不揮発性セル
  • データ保持期間: 20年
  • STORE耐久: 100万回
  • 単一3 V電源: 2.7 V～3.6 V
  • VCAPコンデンサ: 122 μF～360 μF
  • 2.65 V未満では読み出し/書き込みを禁止
  • 電源投入時のRECALL時間: 20 ms

利点

  • バッテリー不要でSRAM並みの速度
  • 20 nsによるメモリアクセスレイテンシ低減
  • シャットダウン時のデータ自動保存
  • 柔軟なバックアップ: SWまたはHSB制御
  • 電源復旧後の高速復元
  • 高信頼性QuantumTrapバックアップ
  • 更新なしで長時間データを保持
  • 頻繁な電源イベントへの耐性
  • シンプルな3 V電源レールによるレギュレーター削減
  • 小型コンデンサーによる簡易バックアップHW
  • ブラウンアウト時のデータ破損防止
  • 20 msのRECALLによるシステム起動高速化

アプリケーション

汎用モータードライブ
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ