BSC046N10NS3 G

データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

BSC046N10NS3 G
BSC046N10NS3 G
データシート

Product details

  • Ciss
    4500 pF
  • Coss
    790 pF
  • ID max
    100 A
  • IDpuls max
    400 A
  • Ptot max
    156 W
  • QG (typ @10V)
    63 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.6 mΩ
  • Rth
    0.8 K/W
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th) (typ)
    2.7 V
  • パッケージ
    SuperSO8
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

機能

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest RDS(on)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated 2

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }