BSB008NE2LX

データシート

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BSB008NE2LX
BSB008NE2LX
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    12000 pF
  • Coss
    3800 pF
  • ID (@25°C) max
    180 A
  • IDpuls max
    400 A
  • Ptot max
    89 W
  • QG (typ @4.5V)
    146 nC
  • QG (typ @10V)
    258 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.8 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    1 mΩ
  • Rth
    1 K/W
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.2 V to 2 V
  • パッケージ
    DirectFET(M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MX-25
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Wide SOA
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The OptiMOS™ 25V product familysets new standards in power density and energy efficiency. Lowest on-state resistance in small footprint packages make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of battery management, or-ing, e-fuse and hot-swap application. CanPAK™ package allows double sided cooling in thermally challenging applications.

機能

  • Lowest on-state resistance
  • High DC and pulsed current capability
  • Easy to design in
  • Double side cooling

利点

  • Increased battery lifetime/system efficiency
  • Saving space (reducing the number of devices needed)
  • Saving costs

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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