BSB008NE2LX

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BSB008NE2LX
BSB008NE2LX

製品仕様情報

  • Ciss
    12000 pF
  • Coss
    3800 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    180 A
  • IDpuls (最大)
    400 A
  • Ptot (最大)
    89 W
  • QG (typ @4.5V)
    146 nC
  • QG (typ @10V)
    258 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.8 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    1 mΩ
  • Rth
    1 K/W
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V~2 V
  • パッケージ
    DirectFET(M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MX-25
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Wide SOA
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The OptiMOS™ 25V product familysets new standards in power density and energy efficiency. Lowest on-state resistance in small footprint packages make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of battery management, or-ing, e-fuse and hot-swap application. CanPAK™ package allows double sided cooling in thermally challenging applications.

特長

  • Lowest on-state resistance
  • High DC and pulsed current capability
  • Easy to design in
  • Double side cooling

利点

  • Increased battery lifetime/system efficiency
  • Saving space (reducing the number of devices needed)
  • Saving costs

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ