BGAP3D30H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

BGAP3D30H

High-Power Pre-Drivers for Wireless Infrastructure
データシート
パッケージ
ボード
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在庫あり

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BGAP3D30H
BGAP3D30H
個.
データシート

製品仕様情報

  • ACLRの
    -47 dBc
  • OIP3
    41.1 dBm
  • OP1dB
    31.4 dBm
  • ゲイン
    38.5 dB
  • ゲイン平坦性 (最大)
    0.35 dB
  • ノイズ指数
    3.3 dB
  • 周波数範囲 範囲
    3.1 GHz～4.2 GHz
  • 電源電圧
    5 V
推奨
OPN
BGAP3D30HE6327XUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VQFN-24
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 6000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VQFN-24
パッケージ名 -
梱包サイズ 6000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The BGA P3D30H is a 3.1 to 4.2 GHz mid-band SiGe RF driver amplifier optimized for 5G massive MIMO base stations and small cells. It provides a high OP1dB of 31 dBm and features single-ended, internally matched 50 Ω in-/output. With high linearity, gain flatness of <0.35 dB, and excellent RF performance can serve as a pre-driver or power amplifier. This device is suited for improving linearization in driven power amplifiers for low-power applications.

特長

  • Supply voltage: 3.3 V
  • Gain Flatness: 0.35 dB
  • High Gain: 38.5 dB
  • High OP1dB: 31 dBm
  • Mid-band: 3.1 - 4.2GHz
  • Packaging: QFN

利点

  • BiCMOS tech for optimized performance
  • High gain and power, reducing components
  • Wide BW 3.1-4.2 GHz with gain flatness
  • Matched to 50 Ω, no external matching
  • Turnable linearity performance

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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