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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠

AUIRFS4010

生産終了
100 V, N-Ch, 4.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, Gen 10.7
データシート
パッケージ
代替品

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AUIRFS4010
AUIRFS4010
代替品
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    180 A
  • Ptot max
    375 W
  • Qgd
    50 nC
  • QG (typ @10V)
    143 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.7 mΩ
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th) max
    4 V
  • VGS(th) min
    2 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK D2PAK
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    Gen 10.7
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
OPN
AUIRFS4010TRL
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
Designed for automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features include 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These attributes make it an efficient and reliable choice for automotive and various other applications.

機能

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C operating temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
  • Lead-Free, RoHS Compliant
  • Automotive Qualified
  • PPAP Capable Device

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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