EVAL-1EDI60I12AF
新規設計非推奨

EVAL-1EDI60I12AF

Evaluation Board for High voltage Gate Driver ICs

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EVAL-1EDI60I12AF
EVAL-1EDI60I12AF

製品仕様情報

  • トポロジー
    Half Bridge
  • ファミリー
    IGBT Discrete, CoolSiC™ MOSFET, Gate Driver
  • ボードタイプ
    Evaluation Board
  • 入力タイプ
    DC
  • 対象アプリケーション
    Solar Energy Systems, EV Charger, Industrial Drives, Welding, Induction Heating, Server, Telecom
  • 製品名
    EVAL-1EDI60I12AF
  • 認定
    Industrial
  • 電源電圧
    15 V
OPN
EVAL1EDI60I12AFTOBO1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ N/A
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 0
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Gate driver evaluation board was developed to demonstrate the functionalities and key features of our 1EDI60I12AF 1200V single channel coreless transformer isolated gate driver ICs in half bridge configuration for MOS-transistors or IGBTs

特長

  • Short circuit protection
  • Shunt current measurement
  • Input & output under volt. lock out
  • Bootstrap circuit
  • Input & output separation possible

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース