新規設計は非推奨

EVAL-1EDI60I12AF

Evaluation Board for High voltage Gate Driver ICs

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

EVAL-1EDI60I12AF
EVAL-1EDI60I12AF

製品仕様情報

  • トポロジー
    Half Bridge
  • ファミリー
    IGBT Discrete, CoolSiC™ MOSFET, Gate Driver
  • ボードタイプ
    Evaluation Board
  • 入力タイプ
    DC
  • 対象アプリケーション
    Solar Energy Systems, EV Charger, Industrial Drives, Welding, Induction Heating, Server, Telecom
  • 製品名
    EVAL-1EDI60I12AF
  • 認定
    Industrial
  • 電源電圧
    15 V
OPN
EVAL1EDI60I12AFTOBO1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ N/A
包装形態 CONTAINER
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 0
包装形態 CONTAINER
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Gate driver evaluation board was developed to demonstrate the functionalities and key features of our 1EDI60I12AF 1200V single channel coreless transformer isolated gate driver ICs in half bridge configuration for MOS-transistors or IGBTs

機能

  • Short circuit protection
  • Shunt current measurement
  • Input & output under volt. lock out
  • Bootstrap circuit
  • Input & output separation possible

用途

ドキュメント

デザイン リソース