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IRHLF77110

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IRHLF77110
IRHLF77110
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    3.7 A
  • ID (@25°C) max
    6 A
  • QG
    13.5 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    320 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHLF77110 is a 60V, 6A rad hard N-channel MOSFET in TO-205AF package. It features electrical performance up to 100krad(Si) TID and offers single event gate rupture and burnout immunity. With COTS classification and threshold voltage within operating limits at all times, this R7 device is ideal for interfacing with logic gates, microcontrollers, and other devices that operate on a 3.3-5V source. It can also be used to increase output current.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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