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IRHLF77110

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IRHLF77110
IRHLF77110
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    3.7 A
  • ID (@25°C) max
    6 A
  • QG
    13.5 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    320 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHLF77110 is a 60V, 6A rad hard N-channel MOSFET in TO-205AF package. It features electrical performance up to 100krad(Si) TID and offers single event gate rupture and burnout immunity. With COTS classification and threshold voltage within operating limits at all times, this R7 device is ideal for interfacing with logic gates, microcontrollers, and other devices that operate on a 3.3-5V source. It can also be used to increase output current.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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