IRHLF77110
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IRHLF77110

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パッケージ

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IRHLF77110
IRHLF77110
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    3.7 A
  • ID (@25°C) (最大)
    6 A
  • QG
    13.5 nC
  • QPL型番
    2N7608T2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    320 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHLF77110 is a 60V, 6A rad hard N-channel MOSFET in TO-205AF package. It features electrical performance up to 100krad(Si) TID and offers single event gate rupture and burnout immunity. With COTS classification and threshold voltage within operating limits at all times, this R7 device is ideal for interfacing with logic gates, microcontrollers, and other devices that operate on a 3.3-5V source. It can also be used to increase output current.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ