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RoHS準拠
鉛フリー

S70GL02GS11FHA010

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S70GL02GS11FHA010
S70GL02GS11FHA010
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    2 GBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-S
  • ページ アクセス時間
    20 ns
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    110 ns
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S70GL02GS11FHA010
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-LFBGA-64
パッケージ名 FBGA-64 (002-13243)
包装サイズ 1800
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-LFBGA-64
パッケージ名 FBGA-64 (002-13243)
包装サイズ 1800
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S70GL02GS11FHA010は2 Gbit（256 MB）並列NORフラッシュメモリで、MIRRORBIT™技術を採用。25 nsページアクセス、110 nsランダムアクセス、2.7 V～3.6 V電源、Versatile I/O™は1.65 V～VCC対応。512バイトプログラミングバッファ、128 KB均一セクタ（2048個）、強固なセクタ保護、10万回消去耐久性、20年データ保持。AEC-Q100 Grade 2/3対応、200 µA低待機電流で、自動車、産業、ネットワーク用途に最適です。

特長

  • 65 nm MIRRORBIT™プロセス技術
  • パラレル3.0 V動作
  • 柔軟なI/O電圧：1.65 V～VCC
  • 16ビットデータバス
  • 16ワード/32バイトページリードバッファ
  • 512バイトプログラムバッファ
  • 均一128 KBセクタ
  • プログラム/消去サスペンド・レジューム
  • 高度なセクタ保護（ASP）
  • 1024バイトOTPロック可能領域
  • WP#入力でセクタ保護
  • 25 nsページアクセス、110 nsランダム

利点

  • 大容量で多用途ストレージ
  • 高速アクセスでシステム向上
  • 柔軟I/Oで設計容易
  • 大バッファで高速読書き
  • 均一セクタで管理簡単
  • サスペンドで多タスク効率
  • 強力保護でデータ安全
  • OTPでセキュア保存
  • WP#で誤書き防止
  • 低スタンバイ電流で省電力
  • 高耐久でメンテ軽減
  • 長期保持で信頼性

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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