Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S29GL01GS11TFB010

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S29GL01GS11TFB010
S29GL01GS11TFB010
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-S
  • ページ アクセス時間
    15 ns
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 初期アクセス時間
    110 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S29GL01GS11TFB010
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-56
パッケージ名 TSOP-56 (002-15549)
包装サイズ 910
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-56
パッケージ名 TSOP-56 (002-15549)
包装サイズ 910
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL01GS11TFB010は、65 nm MIRRORBIT™ Eclipse技術を採用した1 GbパラレルNORフラッシュメモリで、16ビットデータバスと非同期ページモードリード、ランダムアクセス110 nsを実現します。2.7 V～3.6 Vの単一電源、1.65 V～VCCのI/O電圧、–40°C～+105°C動作に対応。512バイト書き込みバッファ、高度なセクタ保護、内部ECC、10万回書き換えと20年データ保持を特長とし、高密度・高信頼性が求められる組込み用途に最適です。

機能

  • 65 nm MIRRORBIT™ Eclipse技術
  • CMOS 3.0 Vコアと多様なI/O
  • 単一電源で動作（2.7 V～3.6 V）
  • I/O電圧範囲1.65 V～VCC
  • 16ビットデータバス
  • 非同期32バイトページリード
  • 512バイト書き込みバッファ
  • 内部ECC単一ビット訂正
  • 128 KB均一セクタ
  • プログラム/消去中断対応
  • 高度なセクタ保護（ASP）
  • 1024バイトOTP領域

利点

  • 65 nm技術で高信頼性
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 電源設計が簡単
  • 広いI/O電圧対応
  • 16ビットバスで高速転送
  • ページリードで高速アクセス
  • 大容量バッファで高速書込
  • ECCでデータ保護強化
  • セクタ管理が容易
  • プログラム/消去中断可能
  • 強力なデータ/セクタ保護
  • OTPで永久データ保存

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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