Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FS064SDSMFB013

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S25FS064SDSMFB013
S25FS064SDSMFB013
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    64 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • インターフェース帯域幅
    80 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S25FS064SDSMFB013
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
包装サイズ 2100
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
包装サイズ 2100
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S25FS064SDSMFB013は64 Mb（8 MB）FS-Sフラッシュメモリで、SPIマルチI/O（シングル、デュアル、クアッドI/O、DDR最大80 MHz）に対応。65 nm MIRRORBIT™技術採用で、高速プログラム・消去、10万回の書き換え、20年のデータ保持を実現。動作電圧1.7 V～2.0 V、最大125°Cの拡張温度範囲、AEC-Q100 Grade 1車載認証取得。

機能

  • SPIマルチI/Oインターフェース
  • DDRで高速データ転送
  • 24/32ビットアドレス対応
  • S25FLシリーズ互換コマンド
  • 多様なリードモード（通常/高速/デュアル/クアッド/DDR）
  • 256/512バイトページバッファ
  • 内部ECCで1ビット訂正
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 10万回書換耐久
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTPロック領域
  • パスワード/ブート制御の高度保護

利点

  • マルチI/Oで柔軟な設計
  • DDRで高速動作
  • 24/32ビットで大容量対応
  • コマンド互換で移行容易
  • 多様なリードで性能最適化
  • 大容量バッファで高速書込
  • ECCで信頼性向上
  • 柔軟な消去で多用途対応
  • 高耐久で保守低減
  • 長期保持でデータ安全
  • OTPでセキュリティ強化
  • 高度保護で不正防止

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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