Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FS064SAGMFI011

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S25FS064SAGMFI011
S25FS064SAGMFI011

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    64 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S25FS064SAGMFI011
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
包装サイズ 2275
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
包装サイズ 2275
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S25FS064SAGMFI011は64 Mb(8 MB)の車載グレードSPI NORフラッシュで、65 nm MIRRORBIT™技術とECLIPSEアーキテクチャを採用し、高速なプログラム・消去を実現。1.7 V~2.0 V動作、最大133 MHz SDR・80 MHz DDR読出し対応。AEC-Q100 Grade 1認定(-40°C~+125°C)、高度なセキュリティ・柔軟なセクタ・多I/O SPIコマンド対応で、車載ECUやXIP、過酷環境でのデータ保存に最適。

機能

  • シングル/デュアル/クワッド/QPI対応SPI
  • DDRリードコマンド対応
  • 256/512バイトページバッファ
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 10万回以上の書換耐久性
  • 20年以上のデータ保持
  • 1024バイトOTPロック可能
  • 自動ECC単一ビット訂正
  • 高度なセクタ/ブロック保護
  • 65 nm MIRRORBIT™技術
  • 1.7 V~2.0V電源電圧
  • 最大+125°C動作温度

利点

  • 柔軟なI/Oで高速データ転送
  • DDRリードで性能向上
  • 大容量バッファで高速書込
  • 多様な消去で用途に対応
  • 高耐久で信頼性向上
  • 長期データ保持で安心
  • OTPで安全なID管理
  • ECCでデータ保護強化
  • 強力な保護で損失防止
  • 先進技術で高密度実現
  • 低電圧で省電力
  • 広温度範囲で環境対応

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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