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JANSR2N7589U3

データシート
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JANSR2N7589U3
JANSR2N7589U3
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    19 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7589U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    88 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The rad hard N-channel MOSFET JANSR2N7589U3 in SMD-0.5 package delivers superior power and reduced power loss. Supporting up to 100krad (Si) Total Ionizing Dose, this R6 device is ideal for space applications. With 150V and 19A capacity, it is designed for high-speed switching in DC-DC converters and motor controllers. Its very low RDS(on) and faster switching times increase power density in space power systems.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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