JANSR2N7482T3
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JANSR2N7482T3

データシート
パッケージ

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JANSR2N7482T3
JANSR2N7482T3
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    18 A
  • ID (@25°C) (最大)
    18 A
  • QG
    65 nC
  • QPL型番
    2N7482T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    30 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA STANDARD
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA STANDARD
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
This radiation-hardened N-channel MOSFET JANSR2N7482T3 has a voltage rating of 30V and a current rating of 18A, with electrical performance up to 100krad(Si) TID. IR HiRel rad hard HEXFET technology ensures high performance and reliability in space applications. The low RDS(on) and low gate charge offer lower power losses in switching applications like DC-DC converters and motor control.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ