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JANSR2N7482T3

データシート
パッケージ

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JANSR2N7482T3
JANSR2N7482T3
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    18 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • QG
    65 nC
  • QPL型番
    2N7482T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    30 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
This radiation-hardened N-channel MOSFET JANSR2N7482T3 has a voltage rating of 30V and a current rating of 18A, with electrical performance up to 100krad(Si) TID. IR HiRel rad hard HEXFET technology ensures high performance and reliability in space applications. The low RDS(on) and low gate charge offer lower power losses in switching applications like DC-DC converters and motor control.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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