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JANSR2N7478T1

データシート
パッケージ

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JANSR2N7478T1
JANSR2N7478T1
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    240 nC
  • QPL型番
    2N7478T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    5.5 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
JANSR2N7478T1 N-channel MOSFET features a 30V, 45A capacity that's perfect for space applications. Thanks to R5 technology, it boasts a low RDS(on) and gate charge, reducing power losses in switching applications. It's QPL qualified with electrical performance up to 100krad TID and housed in a TO-254AA low ohmic package. This MOSFET offers voltage control, fast switching, and temperature stability, making it an proven choice for your needs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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