JANSR2N7478T1
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JANSR2N7478T1

データシート
パッケージ

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JANSR2N7478T1
JANSR2N7478T1
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    240 nC
  • QPL型番
    2N7478T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    5.5 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
JANSR2N7478T1 N-channel MOSFET features a 30V, 45A capacity that's perfect for space applications. Thanks to R5 technology, it boasts a low RDS(on) and gate charge, reducing power losses in switching applications. It's QPL qualified with electrical performance up to 100krad TID and housed in a TO-254AA low ohmic package. This MOSFET offers voltage control, fast switching, and temperature stability, making it an proven choice for your needs.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ