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JANSF2N7659T3

データシート
パッケージ

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JANSF2N7659T3
JANSF2N7659T3
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    -20 A
  • ID (@25°C) max
    -30 A
  • QG
    48 nC
  • QPL型番
    2N7659T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    46 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF max
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The P-channel MOSFET JANSF2N7659T3 is a single, rad hard component with a -60V rating and -30A capacity. Its TO-257AA low ohmic package has electrical performance capabilities up to 300krad(Si) TID and QPL qualification, making it ideal for space applications. With its low RDS(on) and power losses, the R9 MOSFET is well-suited for DC-DC converters and motor drives in space power systems.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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