JANSF2N7580T1
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JANSF2N7580T1

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JANSF2N7580T1
JANSF2N7580T1
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    170 nC
  • QPL型番
    2N7580T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    11 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The JANSF2N7580T1 R6 N-channel MOSFET is a rad hard device with a voltage rating of 100V and a current rating of 45A. It features a low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses in switching applications. With electrical performance up to 300krad(Si) TID and QPL classification, this MOSFET is ideal for space power systems.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ