JANSF2N7491T2
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JANSF2N7491T2

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パッケージ

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JANSF2N7491T2
JANSF2N7491T2
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    10 A
  • ID (@25°C) (最大)
    12 A
  • QG
    65 nC
  • QPL型番
    2N7491T2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    45 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF (最大)
    1.5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Rad hard JANSF2N7491T2 MOSFETs, using HEXFET technology, are ideal for space applications, with electrical performance up to 300krad(Si) TID and QPL qualification. With low RDS(on) and gate charge, these MOSFETs reduce power losses in switching applications such as DC-DC converters and motor controls. At 30V and 12A, these single N-channel MOSFETs offer fast switching, voltage control, and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ