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JANSF2N7491T2

データシート
パッケージ

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JANSF2N7491T2
JANSF2N7491T2
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    10 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    65 nC
  • QPL型番
    2N7491T2
  • RDS (on) (@25°C) max
    45 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Rad hard JANSF2N7491T2 MOSFETs, using HEXFET technology, are ideal for space applications, with electrical performance up to 300krad(Si) TID and QPL qualification. With low RDS(on) and gate charge, these MOSFETs reduce power losses in switching applications such as DC-DC converters and motor controls. At 30V and 12A, these single N-channel MOSFETs offer fast switching, voltage control, and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }