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JANSF2N7491T2

データシート
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JANSF2N7491T2
JANSF2N7491T2
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    10 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    65 nC
  • QPL型番
    2N7491T2
  • RDS (on) (@25°C) max
    45 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ坝 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ坝 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
Rad hard JANSF2N7491T2 MOSFETs, using HEXFET technology, are ideal for space applications, with electrical performance up to 300krad(Si) TID and QPL qualification. With low RDS(on) and gate charge, these MOSFETs reduce power losses in switching applications such as DC-DC converters and motor controls. At 30V and 12A, these single N-channel MOSFETs offer fast switching, voltage control, and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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