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JANSF2N7481U3

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JANSF2N7481U3
JANSF2N7481U3

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    16 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7481U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    75 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The JANSF2N7481U3 R5 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with 100V, 22A rating, in a compact SMD-0.5 package. It offers electrical performance up to 300krad(Si) TID and QPL classification, making it ideal for space applications. With low RDS(on) and low gate charge, it reduces power losses in switching applications, while retaining MOSFET advantages such as voltage control and fast switching.

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }