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JANSF2N7479U3

データシート
パッケージ

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JANSF2N7479U3
JANSF2N7479U3
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    65 nC
  • QPL型番
    2N7479U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    20 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
This single N-channel MOSFET with 30V rating and 22A current has rad-hard technology and electrical performance up to 300krad(Si) TID. The IR HiRel R5 technology ensures high performance and reliability in space applications, characterized for Total Dose and Single Event Effects (SEE). JANSF2N7479U3 features low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses in switching applications. Available in a SMD-0.5 package.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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