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IRHYS9A93130CM

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IRHYS9A93130CM
IRHYS9A93130CM
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    -23 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7660T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    76 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    P
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ坝 TO-257AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ坝 TO-257AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHYS9A93130CM is a R9, rad hard, -100V, -23A, single, P-channel MOSFET in a TO-257AA Tabless low ohmic package. It has electrical performance up to 300krad(Si) TID and has low RDS(on) and low gate charge, making it suitable for switching applications such as DC-DC converters and motor controllers, while retaining the advantages of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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