IRHYS6S7230CM

データシート

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IRHYS6S7230CM
IRHYS6S7230CM
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    10 A
  • ID (@25°C) max
    16 A
  • QG
    42 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    130 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHYS6S7230CM a single R6 N-channel MOSFET that can withstand up to 100krad(Si) TID radiation. Its low RDS(on) and gate charge offer superior performance and reliability, making it ideal for space applications. With a 200V and 16A capacity, this COTS MOSFET is well suited for DC-DC converters and motor control.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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