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IRHNS9A3264

データシート
パッケージ

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IRHNS9A3264
IRHNS9A3264
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    3B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    82 A
  • QG
    165 nC
  • QPL型番
    2N7658U2A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    17 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
R9 technology is the basis for this rad hard 250V, 82A N-channel MOSFET for space applications with improved SEE immunity and electrical performance up to 300krad(Si) TID. The IRHNS9A3264's low RDS(on) and fast switching times increase power density and reduce power losses in high-speed switching applications. In a SupIR-SMD package, it retains proven MOSFET advantages like voltage control, fast switching, and electrical parameter stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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