IRHNS57Z60
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IRHNS57Z60
IRHNS57Z60

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    75 A
  • ID (@25°C) (最大)
    75 A
  • QG
    200 nC
  • QPL型番
    2N7467U2A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    3.5 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF (最大)
    1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The rad hard N-channel MOSFET IRHNS57Z60 offers a reliable solution for space applications with 30V and 75A ratings. With a high performance SupIR-SMD package, it has electrical performance up to 100krad(Si) TID. A COTS device, its low RDS(on) and gate charge provide reduced power losses in switching applications, while retaining the advantages of MOSFETs. LET of 80 MeV·cm2/mg ensures stable electrical performance.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ