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IRHNS57Z60

データシート
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IRHNS57Z60
IRHNS57Z60
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    75 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    200 nC
  • QPL型番
    2N7467U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    3.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The rad hard N-channel MOSFET IRHNS57Z60 offers a reliable solution for space applications with 30V and 75A ratings. With a high performance SupIR-SMD package, it has electrical performance up to 100krad(Si) TID. A COTS device, its low RDS(on) and gate charge provide reduced power losses in switching applications, while retaining the advantages of MOSFETs. LET of 80 MeV·cm2/mg ensures stable electrical performance.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }