IRHNJ9130A
Active and preferred

IRHNJ9130A

データシート
パッケージ

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IRHNJ9130A
IRHNJ9130A
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R4
  • ID (@25°C) (最大)
    -11 A
  • ID (@100°C) (最大)
    -7 A
  • QG
    45 nC
  • QPL型番
    2N7382U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    290 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF (最大)
    -3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Straight LA, Au lead
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Straight LA, Au lead
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNJ9130A P-channel MOSFET is rad hard, with -100V and -11A, in a single SMD-0.5 package with lead attached and electrical performance up to 100krad(Si) TID. IR HiRel R5 technology provides proven flight-heritage in high reliability space applications. The device's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ