IRHLUB730Z4
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IRHLUB730Z4
IRHLUB730Z4
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    0.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL型番
    2N7616UB
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    680 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    Z
  • パッケージ
    UB
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHLUB730Z4 R7 MOSFET is a rad hard N-channel device with a 60V, 0.8A rating. Its UB package and 300krad(Si) TID electrical performance make it ideal for space and radiation environments. With single event gate rupture and burnout immunity, it interfaces with most logic gates, linear ICs, and micro-controllers operating between 3.3-5V. A reliable solution for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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