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IRHF67230

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IRHF67230
IRHF67230
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    5.7 A
  • ID (@25°C) max
    9.1 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    145 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHF67230 R6 N-channel MOSFET is a rad hard device for space applications. With a rating of 200V and 9.1A, it provides high performance, low RDS(on), and gate charge, reducing power losses in switching applications. It has electrical stability up to 100krad(Si) TID classification, making it ideal for DC-DC converters and motor controllers.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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