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IRHF597130

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IRHF597130
IRHF597130
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    -4.3 A
  • ID (@25°C) max
    -6.7 A
  • QG
    40 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    240 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ坝 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ坝 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHF597130 is a R5, rad hard, -100V, -6.7A, single, P-channel MOSFET in a TO-205AF package. Its low RDS(on) and total gate charge reduce power loss in switching applications, and with electrical performance up to 100krad(Si) TID, these MOSFETs are reliable for space applications while retaining MOSFET advantages such as voltage control and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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