IRHF597130
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IRHF597130

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IRHF597130
IRHF597130
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    -4.3 A
  • ID (@25°C) (最大)
    -6.7 A
  • QG
    40 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    240 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF (最大)
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHF597130 is a R5, rad hard, -100V, -6.7A, single, P-channel MOSFET in a TO-205AF package. Its low RDS(on) and total gate charge reduce power loss in switching applications, and with electrical performance up to 100krad(Si) TID, these MOSFETs are reliable for space applications while retaining MOSFET advantages such as voltage control and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ