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RoHS準拠

IRFU5505

-55V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package
データシート
パッケージ

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IRFU5505
IRFU5505
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -18 A
  • Ptot max
    57 W
  • Qgd
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    21.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    110 mΩ
  • RthJC max
    2.2 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -55 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    IPAK (TO-251)
  • Mounting
    THT
  • Polarity
    P
OPN
IRFU5505PBF
製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
IPAK
パッケージ名 IPAK
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
IPAK
パッケージ名 IPAK
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Industry standard through-hole power package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Standard pinout allows for drop in replacement

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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