IRFH8337

IRFH8337

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package
データシート

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IRFH8337
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データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    35 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    3.2 W
  • Ptot (最大)
    27 W
  • Qgd
    1.4 nC
  • QG (typ @4.5V)
    4.7 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    19.9 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    12.8 mΩ
  • RthJC (最大)
    4.7 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.35 V～2.35 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 5 x 6 E
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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