IRF2804L

IRF2804L

40V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-262 package
データシート

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IRF2804L
IRF2804L
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    270 A
  • Ptot (最大)
    330 W
  • Qgd
    66 nC
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.3 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.45 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating

利点

  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High current carrying capability

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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