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IR21364S

600 V three-phase gate driver IC with over current protection, enable and fault reporting
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IR21364S
IR21364S
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    10.4 V
  • VBS UVLO (Off)
    9.4 V
  • VCC UVLO (On)
    10.4 V
  • VCC UVLO (Off)
    9.4 V
  • Isolation Type
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • Configuration
    Three Phase
  • Channels
    6
  • Turn Off Propagation Delay
    530 ns
  • Turn On Propagation Delay
    500 ns
  • Input Vcc
    11.5 V to 20 V
  • Output Current (Source)
    0.2 A
  • Output Current (Sink)
    0.35 A
  • Qualification
    Industrial
  • Voltage Class
    600 V
推奨
OPN
IR21364STRPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
SOIC 28W
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SOIC 28W
パッケージ名 -
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 600V three-phase gate driver IC for IGBTs and MOSFETs features 0.2A source, 0.35A sink current, 10.4V/9.4V UVLO, 500ns/530ns propagation delay, and a 0.46V VITRIP threshold in a SOIC-28 wide body package. It includes an integrated bootstrap diode (BSD) for improved negative transient voltage robustness up to -100V, with 50% lower level shift losses. Explore Infineon's SOI 600V three-phase gate driver options for enhanced performance.

機能

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Over-current shutdown
  • Under-voltage lockout for all chan.
  • Over-current shutdown
  • Independent 3 half-bridge drivers
  • Matched prop. delay for all chan.
  • Cross-conduction prevention logic
  • 3.3 V logic compatible

図

Block_diagram_IR21364
Block_diagram_IR21364
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Typical_connection_IR21364 Typical_connection_IR21364 Typical_connection_IR21364
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ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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