Active and preferred
RoHS準拠

IQEH64NE2LM7UCGSC

OptiMOS™ 7 25 V switching optimized power MOSFETs for hard- and soft-switching topologies in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IQEH64NE2LM7UCGSC
IQEH64NE2LM7UCGSC
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    348 A
  • IDpuls max
    1392 A
  • QG (typ @10V)
    48 nC
  • QG (typ @4.5V)
    22 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.64 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.98 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Hard-switching optimized
推奨
OPN
IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 N/A
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 -
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The OptiMOS™ 7 25 V offers a new level of application-optimization, enabling peak performance for data centers, servers, AI more. The portfolio is available in two technology flavors, including products optimized for hard-switching as well as for soft-switching topologies. Hard-switching optimized products come with an excellent Miller ratio, FOMs and RDS(on)10, while products optimized for soft-switching offer ultra-low RDS(on)45 and FOMQg.

機能

  • Hard- and soft-switching optimizations
  • Hard-switch.: Miller ratio, FOM, RDS(on)10
  • Soft-switch.:RDS(on)45, FOMQg
  • +175°C junction temperature rating
  • Source-down package variants
  • Center-gate footprint, DSC overmolded

利点

  • Application-specific optimization
  • Improved performance efficiency
  • Advanced induced turn-on ruggedness
  • Reduced driver and switching losses
  • Reduced conduction losses
  • Increased reliability and power density
  • Superior thermal capabilities
  • Reduced package parasitics
  • Simplified paralleling of MOSFETs

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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