IQEH46NE2LM7UCGSC
Active and preferred
RoHS対応

IQEH46NE2LM7UCGSC

OptiMOS™ 7 25 Vスイッチングに最適化されたパワーMOSFET、ハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジー用、PQFN 3.3x3.3ソースダウンパッケージ
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IQEH46NE2LM7UCGSC
IQEH46NE2LM7UCGSC
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    440 A
  • IDpuls (最大)
    1760 A
  • QG (typ @10V)
    57 nC
  • QG (typ @4.5V)
    27 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.46 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    0.76 mΩ
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.4 V～2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Hard-switching optimized, Dual-Side Cooling
推奨
OPN
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 6000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 -
梱包サイズ 6000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™ 7 25 Vは、データ センター、サーバー、AIなどできわめて高い性能を発揮する、新次元のアプリケーション最適化を実現します。 製品ラインナップには、ハードスイッチング トポロジー、ソフトスイッチング トポロジーの2種類の技術をご利用いただけます。 ハードスイッチングに最適化された製品は、優れたミラー比、FOM、RDS(on) 10が特長です。一方、ソフトスイッチングに最適化された製品は、超低 RDS(on)45 と FOMQg を提供します。

特長

  • ハードスイッチングとソフトスイッチングの最適化
  • ハードスイッチング最適化: ミラー比、FOM、RDS(on)10
  • ソフトスイッチング最適化: RDS(on)45,FOMQg
  • +175°C接合部温度に対応
  • ソースダウンパッケージのバリエーション
  • センターゲート構造、両面放熱、オーバーモールド パッケージ

利点

  • アプリケーションのニーズに応じた最適化
  • 高い性能と効率
  • 高度な誘導ターンオン防止機能
  • ドライバ損失とスイッチング損失の低減
  • 導通損失の低減
  • 信頼性と電力密度の向上
  • 優れた熱特性
  • パッケージの寄生容量の削減
  • MOSFETの並列接続の簡素化
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ