新規
Active and preferred
RoHS準拠

IQE012N03LM5CGSC

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OptiMOS™ 5低電圧パワーMOSFET 30 V、PQFN 3.3x3.3最高の価格性能比を誇るソースダウン両面放熱パッケージ
データシート
パッケージ

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IQE012N03LM5CGSC
IQE012N03LM5CGSC
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    224 A
  • IDpuls (最大)
    896 A
  • Ptot (最大)
    107 W
  • QG (typ @10V)
    40 nC
  • QG (typ @4.5V)
    18.9 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.15 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.45 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.4 K/W
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.2 V ～ 2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Dual-Side Cooling
推奨
OPN
IQE012N03LM5CGSCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 N/A
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 -
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
革新的なPQFN (3.3x3.3) センターゲート構造のソースダウン両面放熱パッケージに搭載されたIQE012N03LM5CGSC、OptiMOS™ 5 30 VパワーMOSFET 1.20 mΩは、スペースに制約のあるPCB 領域へのデザインインが容易になります。優れた価格性能比のアプローチは、高い電力密度、エンドアプリケーションでの最小限のフォームファクターを実現することで現状を打破し、コンパクトな設計を可能にし、エンドユーザーエクスペリエンスを最適化するとともに、最高の価格性能比を実現します。

特長

  • 拡張ゲート電圧定格
  • 175°Cの温度定格
  • 最高の価格性能比
  • 両面放熱のバリエーションを取り揃えたパッケージ

利点

  • ゲート電圧オーバードライブ
  • Cgの高速充放電
  • 信頼性の向上
  • 高電力密度
  • 競争力のある価格
  • 優れた熱性能

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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