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RoHS準拠

IQE004NE1LM7CG

OptiMOS™ 7 power MOSFET 15 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IQE004NE1LM7CG
IQE004NE1LM7CG
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    379 A
  • QG (typ @4.5V)
    29 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.57 mΩ
  • VDS max
    15 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    0.82
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Switching optimized
推奨
OPN
IQE004NE1LM7CGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
IQE004NE1LM7CG is part of the first 15 V trench power MOSFETs portfolio in the industry. Reduced breakdown voltage leads to an improvement in RDS(on) and FOMQg by ~30%, and ~40% for FOMQOSS when compared to OptiMOS™ 5 25 V. The Center-Gate footprint is optimized for parallelization. Together with the Source-Down package, thermal management is made easy, pushing power density and efficiency to the next level in High Power SMPS applications.

機能

  • New 15 V trench power MOSFET technology
  • RDS(on) of 0.45 mOhm
  • Outstanding FOMQOSS/FOMQg
  • Ultra-low package parasitics
  • Center-Gate footprint

利点

  • Top fit in high-ratio DC-DC conversion
  • Reduced conduction losses
  • High efficiency
  • Best switching performance
  • Center-Gate for ideal parallelization

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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