IPP018N10N5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V in TO-220
データシート

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IPP018N10N5
IPP018N10N5
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    205 A
  • IDpuls (最大)
    820 A
  • Ptot (最大)
    375 W
  • QG (typ @10V)
    168 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.83 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) (範囲)
    2.2 V ～ 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IPP018N10N5 is Infineon’s OptiMOS™ 5 power MOSFET 1.8 mOhm, 100 V in the industry standard TO-220 package for through-hole assembly. OptiMOS™ 5 power MOSFET in TO-220 targets light electric vehicles and battery management systems .

特長

  • Very low RDS(on)
  • O/P capacitance reduction of up to 44%
  • Industry standard package

利点

  • Less paralleling and cooling required
  • Highest system reliability
  • System cost reduction
  • Low voltage overshoot

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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