IPI80N06S4L-07

60 V, N-Ch, 6.4 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2
データシート

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IPI80N06S4L-07
IPI80N06S4L-07
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    80 A
  • IDpuls (最大)
    320 A
  • Ptot (最大)
    79 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    75 nC
  • QG (typ @10V)
    58 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    6.4 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.9 K/W
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.2 V ～ 2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    I2PAK (PG-TO262-3)
  • 予算価格€/ 1k
    0.65
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™T2
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

特長

  • N-Channel - Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green package (lead free)
  • Ultra low RDS(on)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Highest current capability
  • Lowest switching and conduction losses
  • Highest thermal efficiency
  • Robust packages & superior quality
  • Optimized total gate charge
  • Smaller driver output stages

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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