Active and preferred
RoHS準拠

IPB95R130PFD7

950 V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in TO-220-3 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPB95R130PFD7
IPB95R130PFD7
EA.
データシート

Product details

  • ID max
    36.5 A
  • ID (@25°C) max
    36.5 A
  • IDpuls max
    150 A
  • Ptot max
    227 W
  • QG (typ @10V)
    141 nC
  • QG
    141 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    110 mΩ
  • VDS max
    950 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    D2PAK
  • 予算価格€/ 1k
    2.8
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fast recovery diode
推奨
OPN
IPB95R130PFD7ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The PFD7 is tailored to ultrahigh power density as well as the highest efficiency designs. The products primarily address consumer and industrial SMPS applications for PFC and LLC/LCC topologies. The 950 V CoolMOS™ PFD7 combines a 60% Qg reduction over CoolMOS™ C3 (resulting in the reduction of driving losses and improved light and full load efficiency) with a fast and robust body diode.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • MOSFET suits hard & resonant topologies

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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