新規
Active and preferred
RoHS準拠

IAUZN04S7L025

新規
40 V、Nチャネル、2.56 mΩ、車載用パワーMOSFET、S3O8(3x3)、OptiMOS™ 7
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IAUZN04S7L025
IAUZN04S7L025
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) max
    60 A
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.56 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • トポロジー
    OptiMOS™-7
  • パッケージ
    S3O8
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-7
  • 極性
    N
  • 発売年
    2025
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUZN04S7L025ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 S3O8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 S3O8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
3x3mm²の高度なリードレスパッケージに収められた高電流、低RDS(on)パワーMOSFETは、Cuクリップにより低パッケージRonと最小の浮遊インダクタンスを実現し、高電力密度、低導通損失、最適化されたスイッチング動作を提供し、従来のリード付きパッケージと比較してフォームファクターを縮小し、車載アプリケーションに最適です。例えば、配電、車体制御モジュール、電気モーターです。

機能

  • 3x3mm²の小型フットプリント
  • 60 A大電流能力
  • 高度なリードレスパッケージ
  • 最先端のOptiMOS™-7 40 Vテクノロジー
  • R DS(on) 範囲:1.2 mΩ〜4.9 mΩ
  • <低R DS(on) および低インダクタンス Cuクリップ>
  • 高いアバランシェ能力
  • 高いSOA堅牢性
  • PPAP対応デバイス

利点

  • 最高の電力および電流密度
  • 高熱容量リードフレームパッケージ
  • 導通損失の低減
  • 最適化されたスイッチング動作
  • リード付きパッケージに対するフォームファクタの縮小
  • JEDECインダストリー標準パッケージ PG-TSDSON-8

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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