新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

GS-065-018-6-LR-TR

CoolGaN™ Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
データシート

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GS-065-018-6-LR-TR
GS-065-018-6-LR-TR
データシート

Product details

  • Generation
    G4
  • ID (@25°C) max
    23 A
  • IDpuls (@25°C) max
    39 A
  • QG
    4.2 nC
  • RDS (on) max
    90 mΩ
  • RDS (on) (typ)
    62 mΩ
  • VDS max
    700 V
  • Mounting
    SMT
  • Qualification
    Industrial
OPN
GS0650186LRTRXUMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ PG-VSON-8
パッケージ名 PDFN 8x8
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ PG-VSON-8
パッケージ名 PDFN 8x8
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The GS-065-018-6-LR is an enhancement-mode GaN-on-Si power transistor with properties that allow for high current, high voltage breakdown, and high switching frequency.Housed in the bottom-side cooled PDFN package, it offers very low junction-to-case thermal resistance, making it ideal for demanding high-power applications. These features combined ensure very high efficiency in power switching.

機能

  • 700 V e-mode power transistor
  • 850 V transient drain-to-source voltage
  • Bottom-cooled, 8x8 mm PDFN package
  • RDS(on) = 62 mΩ
  • IDSmax,DC = 23 A / IDSmax,Pulse = 39 A
  • Ultralow FOM
  • Gate drive requirements (0 V to 6 V)
  • High switching frequency (> 1 MHz)
  • Fast,controllable fall and rise times
  • Reverse conduction capability
  • Zero reverse recovery loss

利点

  • Supports high operating frequency
  • Enables highest system efficiency
  • Enables ultra power density designs
  • Supports BOM cost savings

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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