Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25C160B-G

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FM25C160B-G
FM25C160B-G
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25C160B-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM25C160B-Gは16 Kbitの車載用F-RAMで、10兆回の高耐久読書きと85°Cで121年のデータ保持を実現します。動作電圧は4.5 V～5.5 V、SPI速度は最大15 MHzでNoDelay™バス速度書き込みが可能。AEC-Q100 Grade 1およびRoHS準拠、ハードウェア・ソフトウェア書き込み保護、1 MHz時300 μAの動作電流、85°C時10 μAの待機電流。8ピンSOICパッケージで、頻繁かつ高速書き込みを必要とする車載・産業用途の堅牢な不揮発性メモリに最適です。

特長

  • 16 Kbit F-RAM（2 K × 8構成）
  • 10兆回の高耐久書き換え
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™リアルタイム書込
  • 最大15 MHzのSPIインターフェース
  • 多層ハード/ソフト書込保護
  • 1 MHz時300 μA動作電流
  • 85°Cで10 μA待機電流
  • VDD 4.5 V～5.5 V対応
  • 動作温度–40°C～+125°C
  • 1/4・1/2・全域ブロック保護
  • シリアルフラッシュ/EEPROM代替

利点

  • 頻繁書込に最適な高耐久性
  • 121年間のデータ信頼保持
  • 即時書込で待機不要
  • 15 MHz SPIで高速転送
  • 強固な保護でデータ損失防止
  • 低消費電流で省エネ
  • 幅広い電圧で設計容易
  • 過酷な温度環境でも動作
  • 柔軟なブロック保護で安全性向上
  • 置換で設計変更不要

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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