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代替哝
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CY7C2670KV18-550BZXI

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パッケージ
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CY7C2670KV18-550BZXI
CY7C2670KV18-550BZXI
代替哝
データシート

Product details

  • Density
    144 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    Y
  • アーキテクチャ
    DDR-II+ CIO, ODT
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    2
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    DDR-II+ CIO, ODT
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    1.7 V to 1.9 V
  • 周波数
    550 MHz
  • 組織 (X x Y)
    4Mb x 36
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2.5
OPN
CY7C2670KV18-550BZXI
製哝ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-165
パッケージ坝 FBGA-165 (51-85195)
包装サイズ 525
包装形態 TRAY
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン DRY
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替哝

製哝ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-165
パッケージ坝 FBGA-165 (51-85195)
包装サイズ 525
包装形態 TRAY
水分レベル -
モイスポャーパッキン DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
代替哝

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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