CY15V104QSN-108SXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY15V104QSN-108SXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY15V104QSN-108SXI
CY15V104QSN-108SXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Frequency
    108 MHz
  • インターフェース
    QSPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    1.71 V～1.89 V
  • 動作電圧 範囲
    1.71 V～1.89 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推奨
OPN
CY15V104QSN-108SXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
梱包サイズ 470
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
梱包サイズ 470
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY15V104QSN-108SXIは4 Mbit EXCELON™ Ultra強誘電体RAMで、最大108 MHz SDRおよび54 MHz DDR対応の高速クアッドSPIインターフェースを備えています。耐久性は100兆回の読書きサイクル、65°Cで151年のデータ保持を実現。動作電圧は1.71 V～1.89 V、温度範囲は-40°C～+85°C。瞬時の非揮発性書き込み、ECC・CRCによるデータ保護、高度な保護機能を搭載。8ピンSOICパッケージでRoHS準拠、産業用途に適しています。

特長

  • 4 Mbit F-RAM、512K × 8構成
  • 10^14回の読み書き耐久
  • 151年データ保持
  • クアッド/デュアル/拡張SPI
  • SPI SDR 108 MHz、DDR 54 MHz
  • XIP実行対応
  • ハード/ソフト書込保護
  • ECC/CRC内蔵でデータ保護
  • ユニークIDとシリアル番号
  • 256バイト特別セクタ
  • 10 mA動作・110 µA待機電流
  • 省電力・休止モード

利点

  • 151年後もデータ信頼性維持
  • 書込遅延ゼロで即時保存
  • 頻繁な書込も摩耗なし
  • 108 MHz SPIで高速アクセス
  • 柔軟なIFで組込容易
  • ECC/CRCで高いデータ保護
  • 書込保護で安全性向上
  • ユニークIDで追跡容易
  • 特別セクタはリフロー耐性
  • 低消費電力で省エネ
  • 休止で電池長寿命
  • XIPで直接コード実行
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ