Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14V101NA-BA45XIT

データシート
パッケージ

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CY14V101NA-BA45XIT
CY14V101NA-BA45XIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64K x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY14V101NA-BA45XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14V101NA-BA45XITは1 Mbit（64 K×16）のパラレルnvSRAMで、SRAMとQuantumTrap不揮発ストレージを統合し、停電時もデータを保持。45 nsアクセス、61～180 µFのVCAPコンデンサで電源断時にAutoStoreし、電源投入またはソフトでRECALL可能。データ保持20年、STORE 1,000 K回、VCC 3.0～3.6 V、VCCQ 1.65～1.95 V、−40～85°C、48ボールFBGA。

特長

  • 1 Mbit nvSRAM(128Kx8/64Kx16)
  • 25 ns/45 nsアクセス時間
  • 電源断でAutoStore(VCAP)
  • HSB端子/ソフトでSTORE
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • データ保持20年
  • QuantumTrap 100万回STORE
  • SRAM R/WとRECALL無制限
  • コアVCC 3.0 V～3.6 V
  • I/O VCCQ 1.65 V～1.95 V
  • スタンバイISB最大8 mA
  • 入力リークIIX最大±1 µA

利点

  • SRAM並みの高速ランダムアクセス
  • 電源断で自動バックアップ
  • 電池バックアップSRAM不要
  • 手動STOREでチェックポイント
  • 復電後に状態を復元
  • データを20年保持可能
  • 頻繁な不揮発保存に対応
  • 通常SRAM使用で摩耗なし
  • 標準3.3 Vコア電源に適合
  • 1.8 Vロジックと接続可能
  • 待機時の消費電力を低減
  • 低リークでバス負荷を低減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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